2N5550BU ON Semiconductor TRANS NPN 140V 0.6A TO-92

Diskreetsed pooljuhid     
Tootja number:
2N5550BU
Kirjeldus:
TRANS NPN 140V 0.6A TO-92
RoHs olek:
Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Alalisvoolu võimendus (hFE) (min) @ Ic, Vce :
60 @ 10mA, 5V
Osa olek :
Obsolete
Paigaldustüüp :
Through Hole
Pakend/ümbris :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pakendamine :
Bulk
Pinge – kollektori emitteri rike (maksimaalne) :
140V
Praegune – kollektori katkestus (maksimaalne) :
100nA (ICBO)
Sagedus – üleminek :
300MHz
seeria :
-
Tarnija seadmepakett :
TO-92-3
Töötemperatuur :
150°C (TJ)
Transistori tüüp :
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
250mV @ 5mA, 50mA
Võimsus – max :
625mW
Vool – koguja (Ic) (maksimaalne) :
600mA
Laos
54,972
Ühiku hind:
Võtke meiega ühendust Pakkumine
 

2N5550BU Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele 2N5550BU konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc 2N5550BU. Parima hinna saamiseks saidil 2N5550BU võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake
 

2N5550BU Iseärasused

2N5550BU is produced by ON Semiconductor, belongs to Transistorid – bipolaarsed (BJT) – ühekordsed.
  

2N5550BU Toote üksikasjad

:
2N5550BU – Transistorid – bipolaarsed (BJT) – ühekordsed disainitud puhvervõimendid ja toodetud ON Semiconductor.
2N5550BU, mida pakub ON Semiconductor, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC 2N5550BU on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis 2N5550BU (PDF), hind 2N5550BU, Pinout 2N5550BU, manuaal 2N5550BU Ja 2N5550BU asenduslahendus.
  

2N5550BU FAQ

:
1. What is the maximum collector current (IC) rating for the 2N5550BU transistor?
The maximum collector current (IC) rating for the 2N5550BU transistor is 600mA.

2. What is the maximum collector-base voltage (VCBO) for the 2N5550BU transistor?
The maximum collector-base voltage (VCBO) for the 2N5550BU transistor is 160V.

3. What is the maximum emitter-base voltage (VEBO) for the 2N5550BU transistor?
The maximum emitter-base voltage (VEBO) for the 2N5550BU transistor is 6V.

4. What is the power dissipation (PD) rating for the 2N5550BU transistor?
The power dissipation (PD) rating for the 2N5550BU transistor is 625mW.

5. What is the DC current gain (hFE) range for the 2N5550BU transistor?
The DC current gain (hFE) range for the 2N5550BU transistor is 80 to 300.

6. What is the maximum junction temperature (Tj) for the 2N5550BU transistor?
The maximum junction temperature (Tj) for the 2N5550BU transistor is 150°C.

7. What is the thermal resistance junction to ambient (RθJA) for the 2N5550BU transistor?
The thermal resistance junction to ambient (RθJA) for the 2N5550BU transistor is 200°C/W.

8. What is the package type for the 2N5550BU transistor?
The package type for the 2N5550BU transistor is TO-92.

9. Is the 2N5550BU transistor RoHS compliant?
Yes, the 2N5550BU transistor is RoHS compliant.

10. What are the typical applications for the 2N5550BU transistor?
The 2N5550BU transistor is commonly used in audio amplification, switching, and linear amplification circuits.
  

2N5550BU Seotud märksõnad

:

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.

 Sisaldab "2N55" seeria tooteid