W987D2HBJX6E TR Winbond Electronics IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA

Integraallülitused (IC-d)

Tootja number:

W987D2HBJX6E TR

Tootja:

Winbond Electronics

Tootekategooria:

Mälu

Kirjeldus:

IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA

RoHs olek:

Pliivaba / RoHS-iga ühilduv

Andmetabelid:

W987D2HBJX6E TR Andmetabelid(PDF)

Juurdepääsu aeg :

5.4ns

Kella sagedus :

166MHz

Mälu liides :

Parallel

Mälu suurus :

128Mb (4M x 32)

Mälu tüüp :

Volatile

Mälu vorming :

DRAM

Osa olek :

Not For New Designs

Paigaldustüüp :

Surface Mount

Pakend/ümbris :

90-TFBGA

Pakendamine :

Tape & Reel (TR)

Pinge – toide :

1.7 V ~ 1.95 V

seeria :

Tarnija seadmepakett :

90-VFBGA (8x13)

Tehnoloogia :

SDRAM - Mobile LPSDR

Töötemperatuur :

-25°C ~ 85°C (TC)

Tsükli aja kirjutamine – sõna, leht :

15ns

Laos

47,066

Ühiku hind:

Võtke meiega ühendust Pakkumine

W987D2HBJX6E TR Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele W987D2HBJX6E TR konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc W987D2HBJX6E TR. Parima hinna saamiseks saidil W987D2HBJX6E TR võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake

W987D2HBJX6E TR Iseärasused

W987D2HBJX6E TR is produced by Winbond Electronics, belongs to Mälu.

W987D2HBJX6E TR Toote üksikasjad

W987D2HBJX6E TR – Mälu disainitud puhvervõimendid ja toodetud Winbond Electronics.
W987D2HBJX6E TR, mida pakub Winbond Electronics, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC W987D2HBJX6E TR on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis W987D2HBJX6E TR (PDF), hind W987D2HBJX6E TR, Pinout W987D2HBJX6E TR, manuaal W987D2HBJX6E TR Ja W987D2HBJX6E TR asenduslahendus.

W987D2HBJX6E TR FAQ

1. What is the maximum operating temperature for the W987D2HBJX6E TR semiconductor?
The maximum operating temperature for the W987D2HBJX6E TR semiconductor is 125°C.

2. What is the typical forward voltage drop for the W987D2HBJX6E TR diode?
The typical forward voltage drop for the W987D2HBJX6E TR diode is 0.7V.

3. Can the W987D2HBJX6E TR handle high-frequency applications?
Yes, the W987D2HBJX6E TR is designed to handle high-frequency applications.

4. What is the recommended storage temperature range for the W987D2HBJX6E TR semiconductor?
The recommended storage temperature range for the W987D2HBJX6E TR semiconductor is -55°C to 150°C.

5. Does the W987D2HBJX6E TR have built-in ESD protection?
Yes, the W987D2HBJX6E TR has built-in ESD protection.

6. What is the typical reverse leakage current for the W987D2HBJX6E TR diode at room temperature?
The typical reverse leakage current for the W987D2HBJX6E TR diode at room temperature is 10nA.

7. Is the W987D2HBJX6E TR RoHS compliant?
Yes, the W987D2HBJX6E TR is RoHS compliant.

8. What is the maximum power dissipation for the W987D2HBJX6E TR semiconductor?
The maximum power dissipation for the W987D2HBJX6E TR semiconductor is 500mW.

9. Can the W987D2HBJX6E TR be used in automotive applications?
Yes, the W987D2HBJX6E TR can be used in automotive applications.

10. What is the typical junction capacitance for the W987D2HBJX6E TR diode?
The typical junction capacitance for the W987D2HBJX6E TR diode is 15pF.

W987D2HBJX6E TR Seotud märksõnad

W987D2HBJX6E TR Hind

W987D2HBJX6E TR Andmeleht

W987D2HBJX6E TR Maalimine

W987D2HBJX6E TR PDF

W987D2HBJX6E TR Tehniline kirjeldus

W987D2HBJX6E TR Tihvtide pinge

W987D2HBJX6E TR Pakkuja

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.