BD4960G-TR Rohm Semiconductor IC RESET CMOS 6.0V 5SSOP

Integraallülitused (IC-d)     
Tootja number:
BD4960G-TR
Tootekategooria:
Kirjeldus:
IC RESET CMOS 6.0V 5SSOP
RoHs olek:
Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Jälgitavate pingete arv :
1
Lähtesta :
Active Low
Lähtesta ajalõpp :
-
Osa olek :
Active
Paigaldustüüp :
Surface Mount
Pakend/ümbris :
SC-74A, SOT-753
Pakendamine :
Tape & Reel (TR)
Pinge – lävi :
6V
seeria :
BD49xxx
Tarnija seadmepakett :
5-SSOP
Töötemperatuur :
-40°C ~ 105°C (TA)
Tüüp :
Voltage Detector
Väljund :
Push-Pull, Totem Pole
Laos
35,190
Ühiku hind:
Võtke meiega ühendust Pakkumine
 

BD4960G-TR Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele BD4960G-TR konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc BD4960G-TR. Parima hinna saamiseks saidil BD4960G-TR võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake
 

BD4960G-TR Iseärasused

BD4960G-TR is produced by Rohm Semiconductor, belongs to PMIC – juhendajad.
  

BD4960G-TR Toote üksikasjad

:
BD4960G-TR – PMIC – juhendajad disainitud puhvervõimendid ja toodetud Rohm Semiconductor.
BD4960G-TR, mida pakub Rohm Semiconductor, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC BD4960G-TR on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis BD4960G-TR (PDF), hind BD4960G-TR, Pinout BD4960G-TR, manuaal BD4960G-TR Ja BD4960G-TR asenduslahendus.
  

BD4960G-TR FAQ

:
1. What is the maximum collector current (Ic) of the BD4960G-TR discrete semiconductor?
The maximum collector current (Ic) of the BD4960G-TR discrete semiconductor is 8A.

2. What is the maximum collector-emitter voltage (Vce) of the BD4960G-TR?
The maximum collector-emitter voltage (Vce) of the BD4960G-TR is 80V.

3. What is the power dissipation (Pd) of the BD4960G-TR at 25°C?
The power dissipation (Pd) of the BD4960G-TR at 25°C is 65W.

4. What is the DC current gain (hFE) of the BD4960G-TR at a specified collector current and voltage?
The DC current gain (hFE) of the BD4960G-TR at a specified collector current and voltage is typically 40 at Ic = 4A and Vce = 4V.

5. What is the storage temperature range for the BD4960G-TR?
The storage temperature range for the BD4960G-TR is -55°C to +150°C.

6. What is the thermal resistance junction to case (RθJC) of the BD4960G-TR?
The thermal resistance junction to case (RθJC) of the BD4960G-TR is 1.67°C/W.

7. What is the maximum junction temperature (Tj) of the BD4960G-TR?
The maximum junction temperature (Tj) of the BD4960G-TR is 150°C.

8. What is the typical base-emitter saturation voltage (VBE(sat)) of the BD4960G-TR at a specified collector current?
The typical base-emitter saturation voltage (VBE(sat)) of the BD4960G-TR at a specified collector current is 1.2V at Ic = 4A.

9. What is the transition frequency (fT) of the BD4960G-TR?
The transition frequency (fT) of the BD4960G-TR is 4MHz.

10. What is the recommended mounting torque for the BD4960G-TR package?
The recommended mounting torque for the BD4960G-TR package is 0.5 Nm.
  

BD4960G-TR Seotud märksõnad

:
BD4960G-TR Hind
BD4960G-TR Maalimine
BD4960G-TR Tihvtide pinge

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.

 Sisaldab "BD49" seeria tooteid