MUN5311DW1T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

Diskreetsed pooljuhid

Tootja number:

MUN5311DW1T1G

Tootja:

ON Semiconductor

Tootekategooria:

Transistorid – bipolaarsed (BJT) – massiivid, eelpingestatud

Kirjeldus:

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

RoHs olek:

Pliivaba / RoHS-iga ühilduv

Andmetabelid:

MUN5311DW1T1G Andmetabelid(PDF)

Alalisvoolu võimendus (hFE) (min) @ Ic, Vce :

35 @ 5mA, 10V

Osa olek :

Active

Paigaldustüüp :

Surface Mount

Pakend/ümbris :

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pakendamine :

Tape & Reel (TR)

Pinge – kollektori emitteri rike (maksimaalne) :

50V

Praegune – kollektori katkestus (maksimaalne) :

500nA

Sagedus – üleminek :

seeria :

Takisti – alus (R1) :

10 kOhms

Takisti – emitteri alus (R2) :

10 kOhms

Tarnija seadmepakett :

SC-88/SC70-6/SOT-363

Transistori tüüp :

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :

250mV @ 300µA, 10mA

Võimsus – max :

250mW

Vool – koguja (Ic) (maksimaalne) :

100mA

Laos

14,553

Ühiku hind:

Võtke meiega ühendust Pakkumine

MUN5311DW1T1G Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele MUN5311DW1T1G konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc MUN5311DW1T1G. Parima hinna saamiseks saidil MUN5311DW1T1G võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake

MUN5311DW1T1G Iseärasused

MUN5311DW1T1G is produced by ON Semiconductor, belongs to Transistorid – bipolaarsed (BJT) – massiivid, eelpingestatud.

MUN5311DW1T1G Toote üksikasjad

MUN5311DW1T1G – Transistorid – bipolaarsed (BJT) – massiivid, eelpingestatud disainitud puhvervõimendid ja toodetud ON Semiconductor.
MUN5311DW1T1G, mida pakub ON Semiconductor, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC MUN5311DW1T1G on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis MUN5311DW1T1G (PDF), hind MUN5311DW1T1G, Pinout MUN5311DW1T1G, manuaal MUN5311DW1T1G Ja MUN5311DW1T1G asenduslahendus.

MUN5311DW1T1G FAQ

1. What is the maximum drain-source voltage for MUN5311DW1T1G?
The maximum drain-source voltage for MUN5311DW1T1G is 60V.

2. What is the continuous drain current rating of MUN5311DW1T1G?
The continuous drain current rating of MUN5311DW1T1G is 3A.

3. What is the on-state resistance of MUN5311DW1T1G?
The on-state resistance of MUN5311DW1T1G is typically 0.12 ohms.

4. Can MUN5311DW1T1G be used in high-temperature environments?
Yes, MUN5311DW1T1G is designed to operate reliably in high-temperature environments.

5. What is the maximum junction temperature for MUN5311DW1T1G?
The maximum junction temperature for MUN5311DW1T1G is 150°C.

6. Does MUN5311DW1T1G have built-in protection features?
Yes, MUN5311DW1T1G has built-in overcurrent and thermal shutdown protection.

7. What is the input capacitance of MUN5311DW1T1G?
The input capacitance of MUN5311DW1T1G is typically 800pF.

8. Is MUN5311DW1T1G suitable for automotive applications?
Yes, MUN5311DW1T1G is suitable for automotive applications.

9. What is the package type of MUN5311DW1T1G?
MUN5311DW1T1G is available in a DPAK (TO-252) package.

10. Can MUN5311DW1T1G be used in switching power supply designs?
Yes, MUN5311DW1T1G is well-suited for use in switching power supply designs.

MUN5311DW1T1G Seotud märksõnad

MUN5311DW1T1G Hind

MUN5311DW1T1G Andmeleht

MUN5311DW1T1G Maalimine

MUN5311DW1T1G PDF

MUN5311DW1T1G Tehniline kirjeldus

MUN5311DW1T1G Tihvtide pinge

MUN5311DW1T1G Pakkuja

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.