SI4840BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC

Diskreetsed pooljuhid     
Tootja number:
SI4840BDY-T1-GE3
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
RoHs olek:
Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Ajami pinge (maksimaalne Rds sees, minimaalne Rds sees) :
4.5V, 10V
Äravoolu allika pinge (Vdss) :
40V
FET tüüp :
N-Channel
FET-funktsioon :
-
Osa olek :
Active
Paigaldustüüp :
Surface Mount
Pakend/ümbris :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakendamine :
Tape & Reel (TR)
Rds sees (maksimaalne) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 12.4A, 10V
seeria :
TrenchFET®
Sisendmahtuvus (Ciss) (maksimaalne) @ Vds :
2000pF @ 20V
Tarnija seadmepakett :
8-SO
Tehnoloogia :
MOSFET (Metal Oxide)
Töötemperatuur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Värava laadimine (Qg) (maksimaalne) @ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs (maksimaalne) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Võimsuse hajumine (maksimaalne) :
2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vooluvool – pidev äravool (Id) @ 25°C :
19A (Tc)
Laos
13,836
Ühiku hind:
Võtke meiega ühendust Pakkumine
 

SI4840BDY-T1-GE3 Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele SI4840BDY-T1-GE3 konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc SI4840BDY-T1-GE3. Parima hinna saamiseks saidil SI4840BDY-T1-GE3 võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake
 

SI4840BDY-T1-GE3 Iseärasused

SI4840BDY-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksikud.
  

SI4840BDY-T1-GE3 Toote üksikasjad

:
SI4840BDY-T1-GE3 – Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksikud disainitud puhvervõimendid ja toodetud Vishay Siliconix.
SI4840BDY-T1-GE3, mida pakub Vishay Siliconix, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC SI4840BDY-T1-GE3 on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis SI4840BDY-T1-GE3 (PDF), hind SI4840BDY-T1-GE3, Pinout SI4840BDY-T1-GE3, manuaal SI4840BDY-T1-GE3 Ja SI4840BDY-T1-GE3 asenduslahendus.
  

SI4840BDY-T1-GE3 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage for the SI4840BDY-T1-GE3?

The maximum drain-source voltage for the SI4840BDY-T1-GE3 is 30V.

2. What is the typical on-resistance of the SI4840BDY-T1-GE3?

The typical on-resistance of the SI4840BDY-T1-GE3 is 18mΩ.

3. What is the maximum continuous drain current for the SI4840BDY-T1-GE3?

The maximum continuous drain current for the SI4840BDY-T1-GE3 is 60A.

4. What is the gate threshold voltage of the SI4840BDY-T1-GE3?

The gate threshold voltage of the SI4840BDY-T1-GE3 is typically 1.5V.

5. What is the typical input capacitance of the SI4840BDY-T1-GE3?

The typical input capacitance of the SI4840BDY-T1-GE3 is 3700pF.

6. What is the maximum power dissipation of the SI4840BDY-T1-GE3?

The maximum power dissipation of the SI4840BDY-T1-GE3 is 2.5W.

7. What is the operating temperature range for the SI4840BDY-T1-GE3?

The operating temperature range for the SI4840BDY-T1-GE3 is -55°C to 150°C.

8. What is the typical turn-on delay time of the SI4840BDY-T1-GE3?

The typical turn-on delay time of the SI4840BDY-T1-GE3 is 10ns.

9. What is the typical turn-off delay time of the SI4840BDY-T1-GE3?

The typical turn-off delay time of the SI4840BDY-T1-GE3 is 25ns.

10. What is the maximum junction temperature for the SI4840BDY-T1-GE3?

The maximum junction temperature for the SI4840BDY-T1-GE3 is 175°C.
  

SI4840BDY-T1-GE3 Seotud märksõnad

:
SI4840BDY-T1-GE3 Hind
SI4840BDY-T1-GE3 Maalimine
SI4840BDY-T1-GE3 Tihvtide pinge

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.

 Sisaldab "SI48" seeria tooteid