SI4830CDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Diskreetsed pooljuhid     
Tootja number:
SI4830CDY-T1-E3
Kirjeldus:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
RoHs olek:
Pliivaba / RoHS-iga ühilduv
Äravoolu allika pinge (Vdss) :
30V
FET tüüp :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktsioon :
Logic Level Gate
Osa olek :
Active
Paigaldustüüp :
Surface Mount
Pakend/ümbris :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakendamine :
Tape & Reel (TR)
Rds sees (maksimaalne) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 8A, 10V
seeria :
LITTLE FOOT®
Sisendmahtuvus (Ciss) (maksimaalne) @ Vds :
950pF @ 15V
Tarnija seadmepakett :
8-SO
Töötemperatuur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Värava laadimine (Qg) (maksimaalne) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Võimsus – max :
2.9W
Vooluvool – pidev äravool (Id) @ 25°C :
8A
Laos
43,266
Ühiku hind:
Võtke meiega ühendust Pakkumine
 

SI4830CDY-T1-E3 Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele SI4830CDY-T1-E3 konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc SI4830CDY-T1-E3. Parima hinna saamiseks saidil SI4830CDY-T1-E3 võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake
 

SI4830CDY-T1-E3 Iseärasused

SI4830CDY-T1-E3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Transistorid – väljatransistorid, MOSFETid – massiivid.
  

SI4830CDY-T1-E3 Toote üksikasjad

:
SI4830CDY-T1-E3 – Transistorid – väljatransistorid, MOSFETid – massiivid disainitud puhvervõimendid ja toodetud Vishay Siliconix.
SI4830CDY-T1-E3, mida pakub Vishay Siliconix, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC SI4830CDY-T1-E3 on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis SI4830CDY-T1-E3 (PDF), hind SI4830CDY-T1-E3, Pinout SI4830CDY-T1-E3, manuaal SI4830CDY-T1-E3 Ja SI4830CDY-T1-E3 asenduslahendus.
  

SI4830CDY-T1-E3 FAQ

:
1. What is the maximum drain-source voltage for SI4830CDY-T1-E3?
The maximum drain-source voltage for SI4830CDY-T1-E3 is 30V.

2. What is the typical on-resistance for SI4830CDY-T1-E3 at a Vgs of 10V?
The typical on-resistance for SI4830CDY-T1-E3 at a Vgs of 10V is 8.5 mΩ.

3. What is the maximum continuous drain current for SI4830CDY-T1-E3?
The maximum continuous drain current for SI4830CDY-T1-E3 is 60A.

4. What is the typical gate threshold voltage for SI4830CDY-T1-E3?
The typical gate threshold voltage for SI4830CDY-T1-E3 is 2.35V.

5. What is the maximum junction temperature for SI4830CDY-T1-E3?
The maximum junction temperature for SI4830CDY-T1-E3 is 150°C.

6. What is the typical input capacitance for SI4830CDY-T1-E3?
The typical input capacitance for SI4830CDY-T1-E3 is 3700pF.

7. What is the typical total gate charge for SI4830CDY-T1-E3 at a Vds of 15V?
The typical total gate charge for SI4830CDY-T1-E3 at a Vds of 15V is 32nC.

8. What is the typical reverse transfer capacitance for SI4830CDY-T1-E3 at a Vds of 15V?
The typical reverse transfer capacitance for SI4830CDY-T1-E3 at a Vds of 15V is 200pF.

9. What is the maximum power dissipation for SI4830CDY-T1-E3?
The maximum power dissipation for SI4830CDY-T1-E3 is 2.5W.

10. What is the typical thermal resistance from junction to ambient for SI4830CDY-T1-E3?
The typical thermal resistance from junction to ambient for SI4830CDY-T1-E3 is 40°C/W.
  

SI4830CDY-T1-E3 Seotud märksõnad

:
SI4830CDY-T1-E3 Hind
SI4830CDY-T1-E3 Maalimine
SI4830CDY-T1-E3 Tihvtide pinge

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.

 Sisaldab "SI48" seeria tooteid