SI1011X-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V SC-89
Diskreetsed pooljuhid
Tootja number:
SI1011X-T1-GE3
Tootja:
Tootekategooria:
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 12V SC-89
RoHs olek:
Pliivaba / RoHS-iga ühilduv Andmetabelid:
SI1011X-T1-GE3 Andmetabelid(PDF)
Ajami pinge (maksimaalne Rds sees, minimaalne Rds sees) :
1.2V, 4.5V
Äravoolu allika pinge (Vdss) :
12V
FET tüüp :
P-Channel
FET-funktsioon :
-
Osa olek :
Last Time Buy
Paigaldustüüp :
Surface Mount
Pakend/ümbris :
SC-89, SOT-490
Pakendamine :
Tape & Reel (TR)
Rds sees (maksimaalne) @ Id, Vgs :
640 mOhm @ 400mA, 4.5V
seeria :
TrenchFET®
Sisendmahtuvus (Ciss) (maksimaalne) @ Vds :
62pF @ 6V
Tarnija seadmepakett :
SC-89-3
Tehnoloogia :
MOSFET (Metal Oxide)
Töötemperatuur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Värava laadimine (Qg) (maksimaalne) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Vgs (maksimaalne) :
±5V
Vgs(th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Võimsuse hajumine (maksimaalne) :
190mW (Ta)
Vooluvool – pidev äravool (Id) @ 25°C :
-
Laos
29,082
Ühiku hind:
Võtke meiega ühendust Pakkumine
SI1011X-T1-GE3 Konkurentsivõimelised hinnad
ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele SI1011X-T1-GE3 konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc SI1011X-T1-GE3. Parima hinna saamiseks saidil SI1011X-T1-GE3 võtke meiega ühendust.
Hinnapakkumise saamiseks klõpsake
SI1011X-T1-GE3 Iseärasused
SI1011X-T1-GE3 is produced by Vishay Siliconix, belongs to Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksikud.
SI1011X-T1-GE3 Toote üksikasjad
:
SI1011X-T1-GE3 – Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksikud disainitud puhvervõimendid ja toodetud Vishay Siliconix.
SI1011X-T1-GE3, mida pakub Vishay Siliconix, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC SI1011X-T1-GE3 on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis SI1011X-T1-GE3 (PDF), hind SI1011X-T1-GE3, Pinout SI1011X-T1-GE3, manuaal SI1011X-T1-GE3 Ja SI1011X-T1-GE3 asenduslahendus.
SI1011X-T1-GE3, mida pakub Vishay Siliconix, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC SI1011X-T1-GE3 on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis SI1011X-T1-GE3 (PDF), hind SI1011X-T1-GE3, Pinout SI1011X-T1-GE3, manuaal SI1011X-T1-GE3 Ja SI1011X-T1-GE3 asenduslahendus.
SI1011X-T1-GE3 FAQ
:
1. What is the maximum drain-source voltage for SI1011X-T1-GE3?
The maximum drain-source voltage for SI1011X-T1-GE3 is 20V.
2. What is the typical on-resistance for SI1011X-T1-GE3?
The typical on-resistance for SI1011X-T1-GE3 is 18mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SI1011X-T1-GE3?
The maximum continuous drain current for SI1011X-T1-GE3 is 240A.
4. What is the gate threshold voltage for SI1011X-T1-GE3?
The gate threshold voltage for SI1011X-T1-GE3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SI1011X-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI1011X-T1-GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The input capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 6800pF.
7. What is the output capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The output capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 1100pF.
8. What is the total gate charge of SI1011X-T1-GE3?
The total gate charge of SI1011X-T1-GE3 is typically 30nC.
9. What is the reverse transfer capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The reverse transfer capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 300pF.
10. What is the maximum power dissipation for SI1011X-T1-GE3?
The maximum power dissipation for SI1011X-T1-GE3 is 2.5W.
The maximum drain-source voltage for SI1011X-T1-GE3 is 20V.
2. What is the typical on-resistance for SI1011X-T1-GE3?
The typical on-resistance for SI1011X-T1-GE3 is 18mΩ.
3. What is the maximum continuous drain current for SI1011X-T1-GE3?
The maximum continuous drain current for SI1011X-T1-GE3 is 240A.
4. What is the gate threshold voltage for SI1011X-T1-GE3?
The gate threshold voltage for SI1011X-T1-GE3 is typically 2.5V.
5. What is the maximum junction temperature for SI1011X-T1-GE3?
The maximum junction temperature for SI1011X-T1-GE3 is 175°C.
6. What is the input capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The input capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 6800pF.
7. What is the output capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The output capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 1100pF.
8. What is the total gate charge of SI1011X-T1-GE3?
The total gate charge of SI1011X-T1-GE3 is typically 30nC.
9. What is the reverse transfer capacitance of SI1011X-T1-GE3?
The reverse transfer capacitance of SI1011X-T1-GE3 is typically 300pF.
10. What is the maximum power dissipation for SI1011X-T1-GE3?
The maximum power dissipation for SI1011X-T1-GE3 is 2.5W.
SI1011X-T1-GE3 Seotud märksõnad
:
SI1011X-T1-GE3 Hind
SI1011X-T1-GE3 Maalimine
SI1011X-T1-GE3 Tihvtide pinge
Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll
Minimaalne tellimus: 1
Sisaldab "SI10" seeria tooteid
