MMDT4126-7 Diodes Incorporated TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363

Diskreetsed pooljuhid

Tootja number:

MMDT4126-7

Tootja:

Diodes Incorporated

Tootekategooria:

Transistorid – bipolaarsed (BJT) – massiivid

Kirjeldus:

TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363

RoHs olek:

Andmetabelid:

MMDT4126-7 Andmetabelid(PDF)

Alalisvoolu võimendus (hFE) (min) @ Ic, Vce :

120 @ 2mA, 1V

Osa olek :

Obsolete

Paigaldustüüp :

Surface Mount

Pakend/ümbris :

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pakendamine :

Tape & Reel (TR)

Pinge – kollektori emitteri rike (maksimaalne) :

25V

Praegune – kollektori katkestus (maksimaalne) :

50nA (ICBO)

Sagedus – üleminek :

250MHz

seeria :

Tarnija seadmepakett :

SOT-363

Töötemperatuur :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Transistori tüüp :

2 PNP (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :

400mV @ 5mA, 50mA

Võimsus – max :

200mW

Vool – koguja (Ic) (maksimaalne) :

200mA

Laos

30,689

Ühiku hind:

Võtke meiega ühendust Pakkumine

MMDT4126-7 Konkurentsivõimelised hinnad

ChipIcil on ainulaadne tarneallikas. Pakume oma klientidele MMDT4126-7 konkurentsivõimelise hinnaga. Saate nautida meie parimat teenust, ostes ChipIc MMDT4126-7. Parima hinna saamiseks saidil MMDT4126-7 võtke meiega ühendust. Hinnapakkumise saamiseks klõpsake

MMDT4126-7 Iseärasused

MMDT4126-7 is produced by Diodes Incorporated, belongs to Transistorid – bipolaarsed (BJT) – massiivid.

MMDT4126-7 Toote üksikasjad

MMDT4126-7 – Transistorid – bipolaarsed (BJT) – massiivid disainitud puhvervõimendid ja toodetud Diodes Incorporated.
MMDT4126-7, mida pakub Diodes Incorporated, saab osta CHIPMLCC-st.
Siit leiate erinevaid juhtivate tootjate elektroonilisi osi rahu.
CHIPMLCC MMDT4126-7 on range kvaliteedikontrolliga ja nõuetele vastav kõike nõuetele.
CHIPMLCC-s näidatud fondi staatus on ainult viitamiseks.
Kui te ei leia otsitavat osa, võtke meiega ühendust lisateavet, näiteks varude arvu andmetabelis MMDT4126-7 (PDF), hind MMDT4126-7, Pinout MMDT4126-7, manuaal MMDT4126-7 Ja MMDT4126-7 asenduslahendus.

MMDT4126-7 FAQ

1. What is the maximum continuous collector current (IC) for MMDT4126-7?
The maximum continuous collector current (IC) for MMDT4126-7 is 500mA.

2. What is the maximum power dissipation (PD) for MMDT4126-7?
The maximum power dissipation (PD) for MMDT4126-7 is 350mW.

3. What is the maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MMDT4126-7?
The maximum collector-emitter voltage (VCEO) for MMDT4126-7 is 40V.

4. What is the maximum emitter-base voltage (VEBO) for MMDT4126-7?
The maximum emitter-base voltage (VEBO) for MMDT4126-7 is 5V.

5. What is the DC current gain (hFE) range for MMDT4126-7?
The DC current gain (hFE) range for MMDT4126-7 is 100 to 600.

6. What is the total power dissipation (PTOT) for MMDT4126-7?
The total power dissipation (PTOT) for MMDT4126-7 is 625mW.

7. What is the thermal resistance junction to ambient (RθJA) for MMDT4126-7?
The thermal resistance junction to ambient (RθJA) for MMDT4126-7 is 357°C/W.

8. What is the storage temperature range for MMDT4126-7?
The storage temperature range for MMDT4126-7 is -55°C to +150°C.

9. What is the operating temperature range for MMDT4126-7?
The operating temperature range for MMDT4126-7 is -55°C to +150°C.

10. What is the package type for MMDT4126-7?
The package type for MMDT4126-7 is SOT-363.

MMDT4126-7 Seotud märksõnad

MMDT4126-7 Hind

MMDT4126-7 Andmeleht

MMDT4126-7 Maalimine

MMDT4126-7 PDF

MMDT4126-7 Tehniline kirjeldus

MMDT4126-7 Tihvtide pinge

MMDT4126-7 Pakkuja

Pakkumised: Kiire hinnapakkumise kontroll

Minimaalne tellimus: 1

Täitke kõik nõutud väljad ja klõpsake "Esita" ning me võtame teiega e-posti teel ühendust 12 tunni jooksul. meili teel. Kui teil on küsimusi, jätke sõnum või e-kiri. Saatke e-kiri aadressile mlccchips@gmail.com ja me vastame niipea kui võimalik.